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半導(dǎo)體信息雜志

評(píng)價(jià)信息:

影響因子:暫無(wú)

總被引頻次:

半導(dǎo)體信息雜志 部級(jí)期刊

Semiconductor Information
期刊榮譽(yù):

主要欄目:

企業(yè)指南國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體技術(shù)與器件市場(chǎng)動(dòng)態(tài)

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雜志簡(jiǎn)介:

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統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)

被引次數(shù)和發(fā)文量統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)

雜志被引次數(shù)

雜志發(fā)文量

年度被引次數(shù)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)

2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020

本刊文章見刊的年份

2012 2011 2010 2009 2008

在2012年的被引次數(shù)

1 0 0 4 2

被本刊自己引用的次數(shù)

0 0 0 0 0

被引次數(shù)的累積百分比

0.1429 0.1429 0.1429 0.7143 1

本刊文章見刊的年份

2013 2012 2011 2010

在2013年的被引次數(shù)

1 1 2 1

被本刊自己引用的次數(shù)

0 0 0 0

被引次數(shù)的累積百分比

0.2 0.4 0.8 1

本刊文章見刊的年份

2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008 2007 2006 2005

在2014年的被引次數(shù)

0 3 1 2 0 1 1 0 0 1

被本刊自己引用的次數(shù)

0 0 0 0 0 0 0 0 0 0

被引次數(shù)的累積百分比

0 0.3 0.4 0.6 0.6 0.7 0.8 0.8 0.8 0.9

本刊文章見刊的年份

2015 2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008

在2015年的被引次數(shù)

1 2 1 0 1 1 1 1

被本刊自己引用的次數(shù)

0 0 0 0 0 0 0 0

被引次數(shù)的累積百分比

0.125 0.375 0.5 0.5 0.625 0.75 0.875 1

本刊文章見刊的年份

2016 2015 2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008 2007

在2016年的被引次數(shù)

0 2 3 1 2 0 2 1 0 1

被本刊自己引用的次數(shù)

0 0 0 0 0 0 0 0 0 0

被引次數(shù)的累積百分比

0 0.1538 0.3846 0.4615 0.6154 0.6154 0.7692 0.8462 0.8462 0.9231

本刊文章見刊的年份

2017 2016 2015 2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008

在2017年的被引次數(shù)

1 4 3 8 2 1 2 1 0 3

被本刊自己引用的次數(shù)

0 0 0 0 0 0 0 0 0 0

被引次數(shù)的累積百分比

0.04 0.2 0.32 0.64 0.72 0.76 0.84 0.88 0.88 1

本刊文章見刊的年份

2018 2017 2016 2015 2014 2013 2012 2011 2010 2009

在2018年的被引次數(shù)

1 5 0 1 5 2 1 2 0 0

被本刊自己引用的次數(shù)

0 0 0 0 0 0 0 0 0 0

被引次數(shù)的累積百分比

0.0556 0.3333 0.3333 0.3889 0.6667 0.7778 0.8333 0.9444 0.9444 0.9444

本刊文章見刊的年份

2019 2018 2017 2016 2015 2014 2013 2012 2011 2010

在2019年的被引次數(shù)

0 2 4 2 3 2 1 1 0 2

被本刊自己引用的次數(shù)

0 0 0 0 0 0 0 0 0 0

被引次數(shù)的累積百分比

0 0.1111 0.3333 0.4444 0.6111 0.7222 0.7778 0.8333 0.8333 0.9444

本刊文章見刊的年份

2020 2019 2018 2017 2016 2015 2014 2013 2012 2011

在2020年的被引次數(shù)

0 1 0 4 1 4 1 0 1 2

被本刊自己引用的次數(shù)

0 0 0 0 0 0 0 0 0 0

被引次數(shù)的累積百分比

0 0.0667 0.0667 0.3333 0.4 0.6667 0.7333 0.7333 0.8 0.9333

文章摘錄

安森美半導(dǎo)體的碳化硅(SiC)二極管提供更高能效、更高功率密度和更低的系統(tǒng)成本

Microchip推出碳化硅(SiC)產(chǎn)品助力打造可靠的高壓電子設(shè)備

意法半導(dǎo)體發(fā)起SiC攻勢(shì)挑戰(zhàn)英飛凌

UnitedSiC在650V產(chǎn)品系列中新增7個(gè)SiC FET

CISSOID展出新款高溫柵極驅(qū)動(dòng)器、碳化硅器件及功率模塊

羅姆推出內(nèi)置1700V SiC MOSFET的AC/DC轉(zhuǎn)換器IC

英飛凌加速推出CoolSiCTM MOSFET 1200V單管新產(chǎn)品

英飛凌聯(lián)合Schweizer開發(fā)出面向輕度混合動(dòng)力汽車的芯片嵌入式功率MOSFET

問(wèn)題答疑

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